Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	SIR606BDP-T1-RE3
Цена	0 ₽	440 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	PowerPAK-SO-8
серия	—	SIR
время нарастания	—	5 ns
время спада	—	5 ns
линейка продукции	—	TrenchFET Gen IV
коммерческое обозначение	—	TrenchFET, PowerPAK
количество выводов	—	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	62.5 W
количество каналов	—	1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	62.5Вт
power dissipation	—	62.5Вт
напряжение истока-стока vds	—	100В
id - непрерывный ток утечки	—	38.7 A
qg - заряд затвора	—	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	14.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	19 ns
типичное время задержки при включении	—	12 ns
стиль корпуса транзистора	—	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	—	38.7А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.0145Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	4В
монтаж транзистора	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	0.0145Ом