Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIDR870ADP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 95 А, 0.0055 Ом, PowerPAK SO, Surface M
Цена	400 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.07
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SO-8
серия	SID
время нарастания	15 ns
время спада	9 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	125 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	125Вт
power dissipation	125Вт
напряжение истока-стока vds	100В
id - непрерывный ток утечки	95 A
qg - заряд затвора	25.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	68 S
полярность транзистора	N Канал
типичное время задержки выключения	33 ns
типичное время задержки при включении	17 ns
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	95А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0055Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0055Ом