Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	SIS862ADN-T1-GE3, MOSFET, Single - N-Channel, 60V, 52A, PowerPAK 1212-8
Цена	0 ₽	0 ₽	150 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	TrenchFET
package type	SOT-89	—	PowerPAK 1212-8
minimum operating temperature	-40 C	—	-55 C
width	2.6mm	—	3.15mm
pin count	3+Tab	—	8
maximum operating temperature	+125 C	—	+150 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	8вывод(-ов)
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	MSL 1-Безлимитный
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вес, г	—	—	0.15
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	39Вт
power dissipation	—	—	39Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	60В
transistor configuration	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	60 V
maximum gate source voltage	—	—	±20 V
полярность транзистора	—	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	—	—	52А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.0057Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	2.5В
maximum continuous drain current	—	—	52 A
maximum gate threshold voltage	—	—	2.5V
maximum drain source resistance	—	—	11 mΩ
channel mode	—	—	Enhancement
minimum gate threshold voltage	—	—	1V
maximum power dissipation	—	—	39 W
typical gate charge @ vgs	—	—	19.8 nC 10 V
forward diode voltage	—	—	1.1V
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	0.0057Ом