Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	SUP90P06-09L-E3, МОП-транзистор, P Канал, 90 А, 60 В, 0.0074 Ом, 10 В, 1 В
Цена	0 ₽	0 ₽	1 140 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	50
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	TO-220-3
серия	AP7384	—	SUP
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	Tube
вес, г	—	—	2
package / case	—	—	TO-220-3
время нарастания	—	—	190 ns
время спада	—	—	300 ns
коммерческое обозначение	—	—	TrenchFET
minimum operating temperature	—	—	- 55 C
factory pack quantity	—	—	50
manufacturer	—	—	Vishay
maximum operating temperature	—	—	+ 175 C
mounting style	—	—	Through Hole
packaging	—	—	Tube
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	SUP
subcategory	—	—	MOSFETs
unit weight	—	—	0.211644 oz
pd - рассеивание мощности	—	—	250 W
количество каналов	—	—	1 Channel
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	300 ns
rise time	—	—	190 ns
number of channels	—	—	1 Channel
tradename	—	—	TrenchFET
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	250 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	90 A
qg - заряд затвора	—	—	240 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	7.4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	3 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	20 S
полярность транзистора	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	140 ns
типичное время задержки при включении	—	—	20 ns
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	7.4 mOhms
transistor polarity	—	—	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	60 V
vgs - gate-source voltage	—	—	20 V
id - continuous drain current	—	—	90 A
typical turn-on delay time	—	—	20 ns
typical turn-off delay time	—	—	140 ns
forward transconductance - min	—	—	20 S
qg - gate charge	—	—	240 nC
transistor type	—	—	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	3 V