Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	SUP90P06-09L-E3, МОП-транзистор, P Канал, 90 А, 60 В, 0.0074 Ом, 10 В, 1 В
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	1 140 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	-40 C	40 C	—	55 C
выходной ток	50мА	50 mA	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	—	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—	- 55 C
width	2.6mm	—	—	—
pin count	3+Tab	—	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—	+ 175 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	Fixed	—	—
output type	Fixed	—	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	—	Through Hole
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	—	50
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	—	SOT-23-3	—	TO-220-3
серия	—	AP7384	—	SUP
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	2
package / case	—	—	—	TO-220-3
упаковка	—	—	—	Tube
время нарастания	—	—	—	190 ns
время спада	—	—	—	300 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	TrenchFET
factory pack quantity	—	—	—	50
manufacturer	—	—	—	Vishay
mounting style	—	—	—	Through Hole
packaging	—	—	—	Tube
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	SUP
subcategory	—	—	—	MOSFETs
unit weight	—	—	—	0.211644 oz
pd - рассеивание мощности	—	—	—	250 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
configuration	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	300 ns
rise time	—	—	—	190 ns
number of channels	—	—	—	1 Channel
tradename	—	—	—	TrenchFET
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
technology	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	250 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	90 A
qg - заряд затвора	—	—	—	240 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	7.4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	3 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	20 S
полярность транзистора	—	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	140 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	20 ns
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	7.4 mOhms
transistor polarity	—	—	—	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	60 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	20 V
id - continuous drain current	—	—	—	90 A
typical turn-on delay time	—	—	—	20 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	140 ns
forward transconductance - min	—	—	—	20 S
qg - gate charge	—	—	—	240 nC
transistor type	—	—	—	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	3 V