Сравнение

SUP90P06-09L-E3, МОП-транзистор, P Канал, 90 А, 60 В, 0.0074 Ом, 10 В, 1 В
Цена 0 1 140
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2
package / case TO-220-3
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия SUP
время нарастания 190 ns
время спада 300 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
minimum operating temperature - 55 C
factory pack quantity 50
manufacturer Vishay
maximum operating temperature + 175 C
mounting style Through Hole
packaging Tube
product category MOSFET
product type MOSFET
series SUP
subcategory MOSFETs
unit weight 0.211644 oz
pd - рассеивание мощности 250 W
количество каналов 1 Channel
configuration Single
fall time 300 ns
rise time 190 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET
технология Si
конфигурация Single
technology Si
pd - power dissipation 250 W
id - непрерывный ток утечки 90 A
qg - заряд затвора 240 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 7.4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 20 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 140 ns
типичное время задержки при включении 20 ns
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 7.4 mOhms
transistor polarity P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 60 V
vgs - gate-source voltage 20 V
id - continuous drain current 90 A
typical turn-on delay time 20 ns
typical turn-off delay time 140 ns
forward transconductance - min 20 S
qg - gate charge 240 nC
transistor type 1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 3 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль