Сравнение

SQ4282EY-T1_GE3
Цена 0 450
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок SO-8
серия SQ
время нарастания 11 ns, 11 ns
время спада 8 ns, 8 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 3.9 W
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
квалификация AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 47 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 10 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 67 S, 67 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 2 N-Channel
типичное время задержки выключения 34 ns, 34 ns
типичное время задержки при включении 10 ns, 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль