Сравнение

SIZ300DT-T1-GE3
Цена 0 330
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAIR-3x3-8
серия SIZ
длина 3 mm
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 16.7 W, 31 W
другие названия товара № SIZ300DT-GE3
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 11 A, 28 A
qg - заряд затвора 12 nC, 22 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms, 11 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль