Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	SISS04DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.001 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou
Цена	0 ₽	0 ₽	330 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—
упаковка	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	—
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
вес, г	—	—	0.5
линейка продукции	—	—	TrenchFET Gen IV
количество выводов	—	—	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	MSL 1-Безлимитный
channel type	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	65.7Вт
power dissipation	—	—	65.7Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	30В
полярность транзистора	—	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	—	—	80А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.001Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	2.2В
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	0.001Ом