Сравнение

SISS04DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.001 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou
Цена 0 0 330
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.5
максимальная рабочая температура 150 C
линейка продукции TrenchFET Gen IV
количество выводов 8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 65.7Вт
power dissipation 65.7Вт
напряжение истока-стока vds 30В
полярность транзистора N Канал
стиль корпуса транзистора PowerPAK 1212
непрерывный ток стока 80А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.001Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 2.2В
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.001Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль