Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SIRA84BDP-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	150 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	PowerPAK-SO-8
серия	AP7384	—	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
mounting type	—	—	—	Surface Mount
время нарастания	—	—	—	5 ns
время спада	—	—	—	5 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	TrenchFET
package type	—	—	—	PowerPAK SO-8
minimum operating temperature	—	—	—	-55 C
width	—	—	—	5mm
pin count	—	—	—	8
maximum operating temperature	—	—	—	+150 C
pd - рассеивание мощности	—	—	—	36 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
технология	—	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	—	1
конфигурация	—	—	—	Single
channel type	—	—	—	N
transistor configuration	—	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	—	30 V
maximum gate source voltage	—	—	—	-16 V, +20 V
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	70 A
qg - заряд затвора	—	—	—	20.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	7.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1.2 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	20 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	10 ns
maximum continuous drain current	—	—	—	70 A
maximum gate threshold voltage	—	—	—	2.4V
maximum drain source resistance	—	—	—	7.1 mΩ
channel mode	—	—	—	Enhancement
minimum gate threshold voltage	—	—	—	1.2V
maximum power dissipation	—	—	—	36 W
typical gate charge @ vgs	—	—	—	20.7 nC 10 V
forward diode voltage	—	—	—	1.1V