Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 SIRA10BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 60 А, 0.0023 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Цена 0 0 0 170
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 3
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
package / case PowerPAK-SO-8
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Reel, Cut Tape
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SIR
время нарастания 20 ns
время спада 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
minimum operating temperature -55 C
factory pack quantity 3000
manufacturer Vishay
maximum operating temperature +150 C
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series SIR
subcategory MOSFETs
pd - рассеивание мощности 43 W
количество каналов 1 Channel
configuration Single
fall time 10 ns
rise time 20 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET, PowerPAK
технология Si
конфигурация Single
technology Si
pd - power dissipation 43 W
id - непрерывный ток утечки 60 A
qg - заряд затвора 24.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 68 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 25 ns
типичное время задержки при включении 7 ns
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 3.6 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30 V
vgs - gate-source voltage 10 V
id - continuous drain current 60 A
typical turn-on delay time 7 ns
typical turn-off delay time 25 ns
forward transconductance - min 68 S
qg - gate charge 24.1 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 1.2 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль