Сравнение

SIR800ADP-T1-RE3
Цена 0 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.2201
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SIR
время нарастания 13 ns
время спада 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 62.5 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 177 A
qg - заряд затвора 53 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 60 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 40 ns
типичное время задержки при включении 20 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль