Сравнение

SISF04DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 108 А, 0.003 Ом, PowerPAK 1212-SCD, Surface
Цена 0 0 260
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.001
вид монтажа: SMD/SMT
категория продукта: МОП-транзистор
максимальная рабочая температура: + 150 C
минимальная рабочая температура: - 55 C
подкатегория: MOSFETs
производитель: Vishay
тип продукта: MOSFET
торговая марка: Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки: 3000
упаковка / блок: PowerPAK-1212-8
время нарастания: 21 ns
время спада: 6 ns
коммерческое обозначение: TrenchFET
pd - рассеивание мощности: 69.4 W
количество каналов: 2 Channel
технология: Si
конфигурация: Dual
id - непрерывный ток утечки: 108 A
qg - заряд затвора: 40 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток: 4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
vgs - напряжение затвор-исток: - 12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.3 V
канальный режим: Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.: 115 S
полярность транзистора: N-Channel
тип транзистора: 2 N-Channel
типичное время задержки выключения: 30 ns
типичное время задержки при включении: 12 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль