Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIHP8N50D-GE3
Цена	430 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	D
supplier device package	TO-220AB
длина	10.41 mm
время нарастания	16 ns
время спада	11 ns
pd - рассеивание мощности	156 W
другие названия товара №	SIHP8N50D-E3
количество каналов	1 Channel
base product number	SIHP8 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
id - непрерывный ток утечки	8.7 A
qg - заряд затвора	15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	850 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	17 ns
типичное время задержки при включении	13 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	8.7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	30nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	527pF @ 100V
power dissipation (max)	156W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	850mOhm @ 4A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	5V @ 250ВµA