Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	SIHP7N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 7 А, 0.5 Ом, TO-220AB, Through Hole
Цена	0 ₽	0 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вес, г	—	—	2
вид монтажа:	—	—	Through Hole
категория продукта:	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	—	—	- 55 C
подкатегория:	—	—	MOSFETs
производитель:	—	—	Vishay
серия:	—	—	E
тип продукта:	—	—	MOSFET
торговая марка:	—	—	Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки:	—	—	1000
упаковка:	—	—	Tube
другие названия товара №:	—	—	SIHP7N60E-BE3
упаковка / блок:	—	—	TO-220AB-3
время нарастания:	—	—	13 ns
время спада:	—	—	14 ns
pd - рассеивание мощности:	—	—	78 W
количество каналов:	—	—	1 Channel
технология:	—	—	Si
конфигурация:	—	—	Single
id - непрерывный ток утечки:	—	—	7 A
qg - заряд затвора:	—	—	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	—	600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	—	609 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	—	- 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	—	4 V
канальный режим:	—	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	—	N-Channel
тип транзистора:	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	—	—	24 ns
типичное время задержки при включении:	—	—	13 ns