Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A SIHP33N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 600 В, 0.083 Ом, 10 В, 2 В
Цена 0 0 0 1 000
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2.853
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия E
длина 10.41 mm
время нарастания 60 ns
время спада 54 ns
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 278 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
ppap No
standard package name TO-220
supplier package TO-220AB
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 278000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 33 A
qg - заряд затвора 155 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 99 ns
типичное время задержки при включении 28 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 33
maximum drain source resistance (mohm) 99 10V
maximum drain source voltage (v) 600
maximum gate source leakage current (na) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
maximum gate threshold voltage (v) 4
maximum idss (ua) 1
typical fall time (ns) 54
typical gate charge @ 10v (nc) 100
typical gate charge @ vgs (nc) 100 10V
typical input capacitance @ vds (pf) 3508 100V
typical rise time (ns) 60
typical turn-off delay time (ns) 99
typical turn-on delay time (ns) 28
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль