Сравнение

SIHP240N60E-GE3
Цена 0 890
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Through Hole
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Cut Tape (CT)
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TO-220-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия E
supplier device package TO-220AB
время нарастания 14 ns
время спада 14 ns
series E ->
pd - рассеивание мощности 78 W
количество каналов 1 Channel
base product number SIHP240 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 12 A
qg - заряд затвора 23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 3.4 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 27 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 12A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 600V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 23nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 795pF @ 100V
power dissipation (max) 78W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 5V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль