Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIHP14N50D-GE3
Цена	880 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	D
длина	10.41 mm
время нарастания	27 ns
время спада	26 ns
pd - рассеивание мощности	208 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	14 A
qg - заряд затвора	29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	29 ns
типичное время задержки при включении	16 ns