Сравнение

SIHG35N60EF-GE3
Цена 0 2 050
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок TO-247-3
серия EF
время нарастания 85 ns
время спада 61 ns
pd - рассеивание мощности 250 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 32 A
qg - заряд затвора 134 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 97 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 8 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
типичное время задержки выключения 96 ns
типичное время задержки при включении 28 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль