Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A	AS7805ADTR-G1	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	SIHG20N50C-E3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	910 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
вес, г	1	—	—	—	6
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	2500	—	—	—
input voltage, max:	25 V	25 V	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	7.5 V	—	—	—
load regulation:	20 mV	20 mV	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	+125 C	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	-40 C	—	—	—
mounting style:	SMD/SMT	SMD/SMT	—	—	—
number of outputs:	1 Output	1 Output	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—
series:	AS7805	AS7805	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	PMIC-Power Management ICs	—	—	—
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	Yes	—	—	—
output current:	1 A	1 A	—	—	—
output voltage:	5 V	5 V	—	—	—
output type:	Fixed	Fixed	—	—	—
quiescent current:	6 mA	6 mA	—	—	—
polarity:	Positive	Positive	—	—	—
line regulation:	25 mV	25 mV	—	—	—
package / case:	TO-252-2	TO-252-2	—	—	—
вид монтажа	—	—	SMD/SMT	—	Through Hole
категория продукта	—	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	—	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	40 C	—	55 C
подкатегория	—	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	—	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	—	3000	—	500
тип продукта	—	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	—	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	—	SOT-23-3	—	TO-247-3
серия	—	—	AP7384	—	—
выходной ток	—	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	—	7 V	—	—
полярность	—	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	—	60 dB	—	—
package / case	—	—	—	—	TO-247AC-3
упаковка	—	—	—	—	Tube
длина	—	—	—	—	15.87 mm
время нарастания	—	—	—	—	27 ns
время спада	—	—	—	—	44 ns
minimum operating temperature	—	—	—	—	-55 C
pin count	—	—	—	—	3
factory pack quantity	—	—	—	—	500
manufacturer	—	—	—	—	Vishay
maximum operating temperature	—	—	—	—	+150 C
mounting style	—	—	—	—	Through Hole
packaging	—	—	—	—	Tube
product category	—	—	—	—	Power MOSFET
product type	—	—	—	—	MOSFET
subcategory	—	—	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	—	—	250 mW
количество каналов	—	—	—	—	1 Channel
automotive	—	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	—	compliant
lead shape	—	—	—	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	—	150
mounting	—	—	—	—	Through Hole
part status	—	—	—	—	active
pcb changed	—	—	—	—	3
standard package name	—	—	—	—	TO-247
supplier package	—	—	—	—	TO-247AC
eccn (us)	—	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	—	250000
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	—	44 ns
rise time	—	—	—	—	27 ns
number of channels	—	—	—	—	1 Channel
package height	—	—	—	—	20.82(Max)
package length	—	—	—	—	15.87(Max)
package width	—	—	—	—	5.31(Max)
технология	—	—	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	—	—	1
конфигурация	—	—	—	—	Single
channel type	—	—	—	—	N
technology	—	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	—	250 mW
tab	—	—	—	—	Tab
Структура	—	—	—	—	n-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в	—	—	—	—	560
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	—	—	—	—	20
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	—	—	—	—	250
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	—	20 A
qg - заряд затвора	—	—	—	—	65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	—	270 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	—	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	—	3 V
канальный режим	—	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	—	6.4 S
полярность транзистора	—	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	—	32 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	—	80 ns
channel mode	—	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	—	20
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	—	270@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	—	500
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	—	±30
typical fall time (ns)	—	—	—	—	44
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	—	—	65
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	—	65@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	—	—	2451@25V
typical rise time (ns)	—	—	—	—	27
typical turn-off delay time (ns)	—	—	—	—	32
typical turn-on delay time (ns)	—	—	—	—	80
military	—	—	—	—	No
rds on - drain-source resistance	—	—	—	—	270 mOhms
transistor polarity	—	—	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	—	500 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	—	10 V
id - continuous drain current	—	—	—	—	20 A
typical turn-on delay time	—	—	—	—	80 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	—	32 ns
forward transconductance - min	—	—	—	—	6.4 S
qg - gate charge	—	—	—	—	65 nC
transistor type	—	—	—	—	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	—	3 V
крутизна характеристики s,а/в	—	—	—	—	6.4
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	—	—	—	—	5
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	—	—	—	—	270
температура, с	—	—	—	—	-55…+150