Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIHF640S-GE3
Цена	630 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	7.152
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	TO-263-3
длина	10.67 mm
время нарастания	51 ns
время спада	36 ns
pd - рассеивание мощности	130 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	18 A
qg - заряд затвора	70 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	6.7 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	45 ns
типичное время задержки при включении	14 ns