Сравнение

SIHD5N50D-E3
Цена 0 370
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.34
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Reel, Cut Tape
упаковка / блок TO-252-3
серия D
длина 6.73 mm
время нарастания 11 ns
время спада 11 ns
pd - рассеивание мощности 104 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 5.3 A
qg - заряд затвора 10 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 14 ns
типичное время задержки при включении 12 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль