Сравнение

SIHD2N80E-GE3
Цена 0 430
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.34
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TO-252-3
серия E
время нарастания 7 ns
время спада 27 ns
pd - рассеивание мощности 62.5 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 2.8 A
qg - заряд затвора 9.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.38 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 19 ns
типичное время задержки при включении 11 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль