Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mou
Цена	0 ₽	1 380 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	—
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	1
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Bulk
package / case	—	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
supplier device package	—	DВІPAK (TO-263)
series	—	EF ->
base product number	—	SIHB35 ->
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	32A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	134nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	2568pF @ 100V
power dissipation (max)	—	250W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	97mOhm @ 17A, 10V
vgs (max)	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	4V @ 250ВµA