Сравнение

SIHB12N50E-GE3
Цена 0 730
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.438
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Bulk
упаковка / блок TO-263-3
серия E
время нарастания 16 ns
время спада 12 ns
pd - рассеивание мощности 114 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 10.5 A
qg - заряд затвора 25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 550 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 29 ns
типичное время задержки при включении 13 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль