Сравнение

SIHB11N80E-GE3
Цена 0 1 170
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок D2PAK-3
серия E
время нарастания 15 ns
время спада 18 ns
pd - рассеивание мощности 179 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 12 A
qg - заряд затвора 88 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 440 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 4.5 S
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 55 ns
типичное время задержки при включении 18 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль