Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	SIDR626DP-T1-GE3
Цена	0 ₽	850 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	0.1989
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка	—	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	—	SO-8
серия	—	SID
время нарастания	—	24 ns
время спада	—	11 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	125 W
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	100 A
qg - заряд затвора	—	68 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	1.7 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	2 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	78 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	30 ns
типичное время задержки при включении	—	16 ns