Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIA432DJ-T1-GE3	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	350 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—
категория продукта	МОП-транзистор	—
максимальная рабочая температура	+ 150 C	—
минимальная рабочая температура	55 C	—
подкатегория	MOSFETs	—
размер фабричной упаковки	3000	—
тип продукта	MOSFET	—
торговая марка	Vishay Semiconductors	—
упаковка / блок	SC-70-6	—
серия	SIA	—
длина	2.05 mm	—
коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK	—
pd - рассеивание мощности	19.2 W	—
другие названия товара №	SIA432DJ-GE3	—
количество каналов	1 Channel	—
Вес и габариты	—	—
технология	Si	—
конфигурация	Single	—
id - непрерывный ток утечки	12 A	—
qg - заряд затвора	20 nC	—
rds вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms	—
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V	—
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V	—
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V	—
канальный режим	Enhancement	—
полярность транзистора	N-Channel	—
вес, г	—	1.95
способ монтажа	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	-55…+125
количество фаз	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000
при iпр.,а	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50