Сравнение

SIA432DJ-T1-GE3
Цена 350
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SC-70-6
серия SIA
длина 2.05 mm
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 19.2 W
другие названия товара № SIA432DJ-GE3
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 12 A
qg - заряд затвора 20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль