Сравнение

SI7923DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.4 А, 0.075 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun
Цена 0 340
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.157
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
серия SI7
длина 3.3 mm
время нарастания 12 ns
время спада 28 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2.8 W
другие названия товара № SI7923DN-GE3
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 6.4 A
qg - заряд затвора 21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 47 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 13 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 2 P-Channel
типичное время задержки выключения 38 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль