Сравнение

SI7220DN-T1-E3
Цена 0 750
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.1486
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
серия SI7
время нарастания 10 ns
время спада 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2.6 W
другие названия товара № SI7220DN-E3
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 4.8 A
qg - заряд затвора 20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 60 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 15 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 2 N-Channel
типичное время задержки выключения 20 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль