Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 SI7137DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 60 А, 0.0016 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Цена 0 0 500
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C - 55 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C + 150 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 0.01
package / case PowerPAK-SO-8
factory pack quantity 3000
manufacturer Vishay
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series SI7
subcategory MOSFETs
unit weight 0.017870 oz
configuration Single
fall time 72 ns
rise time 14 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET
part # aliases SI7137DP-GE3
technology Si
pd - power dissipation 104 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 1.6 mOhms
transistor polarity P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20 V
vgs - gate-source voltage 12 V
id - continuous drain current 60 A
typical turn-on delay time 20 ns
typical turn-off delay time 230 ns
forward transconductance - min 95 S
qg - gate charge 585 nC
transistor type 1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 1.4 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль