Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SI5908DC-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	430 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—	—
pin count	3	—	—	—	8
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	Through Hole	—	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	40 C	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	2000	—	3000
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SOT-23-3	TO-92-3	—	—
серия	—	AP7384	—	—	SI5
выходной ток	—	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	7 V	—	—
полярность	—	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	—	Ammo Pack	—	—
вес, г	—	—	—	—	0.085
коммерческое обозначение	—	—	—	—	TrenchFET
packaging	—	—	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	—	—	Power MOSFET
другие названия товара №	—	—	—	—	SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF
automotive	—	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	—	compliant
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	—	150
mounting	—	—	—	—	surface mount
part status	—	—	—	—	active
pcb changed	—	—	—	—	8
supplier package	—	—	—	—	Chip FET
eccn (us)	—	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	—	2100
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	—	Dual Dual Drain
hts	—	—	—	—	8541.29.00.95
package height	—	—	—	—	1.1(Max)
package length	—	—	—	—	3.05
package width	—	—	—	—	1.65
process technology	—	—	—	—	TrenchFET
технология	—	—	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	—	—	2
channel type	—	—	—	—	N
channel mode	—	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	—	4.4
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	—	40@4.5V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	—	20
maximum gate source leakage current (na)	—	—	—	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	—	±8
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	—	—	1
maximum idss (ua)	—	—	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	—	—	12
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	—	5@4.5V
typical rise time (ns)	—	—	—	—	36
typical turn-off delay time (ns)	—	—	—	—	30
typical turn-on delay time (ns)	—	—	—	—	20
military	—	—	—	—	No
operating junction temperature (°c)	—	—	—	—	-55 to 150
typical output capacitance (pf)	—	—	—	—	98
maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a)	—	—	—	—	5.9
maximum diode forward voltage (v)	—	—	—	—	1.2
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w)	—	—	—	—	110
maximum positive gate source voltage (v)	—	—	—	—	8
maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w)	—	—	—	—	2.1
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)	—	—	—	—	20
minimum gate threshold voltage (v)	—	—	—	—	0.4
typical diode forward voltage (v)	—	—	—	—	0.8
typical gate plateau voltage (v)	—	—	—	—	1.3
typical gate to drain charge (nc)	—	—	—	—	1
typical gate to source charge (nc)	—	—	—	—	0.85
typical reverse recovery time (ns)	—	—	—	—	45