Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	SI5908DC-T1-GE3
Цена	0 ₽	430 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	8
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	0.085
категория продукта	—	МОП-транзистор
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
серия	—	SI5
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
packaging	—	Tape and Reel
product category	—	Power MOSFET
другие названия товара №	—	SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF
automotive	—	No
eu rohs	—	compliant
maximum operating temperature (°c)	—	150
mounting	—	surface mount
part status	—	active
pcb changed	—	8
supplier package	—	Chip FET
eccn (us)	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	2100
minimum operating temperature (°c)	—	-55
configuration	—	Dual Dual Drain
hts	—	8541.29.00.95
package height	—	1.1(Max)
package length	—	3.05
package width	—	1.65
process technology	—	TrenchFET
технология	—	Si
number of elements per chip	—	2
channel type	—	N
channel mode	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	4.4
maximum drain source resistance (mohm)	—	40@4.5V
maximum drain source voltage (v)	—	20
maximum gate source leakage current (na)	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	±8
maximum gate threshold voltage (v)	—	1
maximum idss (ua)	—	1
typical fall time (ns)	—	12
typical gate charge @ vgs (nc)	—	5@4.5V
typical rise time (ns)	—	36
typical turn-off delay time (ns)	—	30
typical turn-on delay time (ns)	—	20
military	—	No
operating junction temperature (°c)	—	-55 to 150
typical output capacitance (pf)	—	98
maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a)	—	5.9
maximum diode forward voltage (v)	—	1.2
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w)	—	110
maximum positive gate source voltage (v)	—	8
maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w)	—	2.1
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)	—	20
minimum gate threshold voltage (v)	—	0.4
typical diode forward voltage (v)	—	0.8
typical gate plateau voltage (v)	—	1.3
typical gate to drain charge (nc)	—	1
typical gate to source charge (nc)	—	0.85
typical reverse recovery time (ns)	—	45