Сравнение

SI4936BDY-T1-E3
Цена 0 400
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.5066
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок SO-8
серия SI4
время нарастания 25 ns
время спада 10 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2.8 W
другие названия товара № SI4936BDY-E3
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 6.9 A
qg - заряд затвора 9.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 12 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 2 N-Channel
типичное время задержки выключения 12 ns
типичное время задержки при включении 5 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль