Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SI4463CDY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 18.6 А, 0.006 Ом, SOIC, Surface Mount
Цена	180 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	1.59
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SO-8
серия	SI4
длина	4.9 mm
время нарастания	10 ns
время спада	11 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	5 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	18.6 A
qg - заряд затвора	108 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	60 S
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	70 ns
типичное время задержки при включении	12 ns