Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-70SA-7	SI4431BDY-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Цена	0 ₽	0 ₽	100 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	40 C	55 C
выходной ток	50мА	50 mA	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	8
maximum operating temperature	+125 C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	Fixed	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	—	LDO Voltage Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	3000	2500
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SOT-23-3	SO-8
серия	—	AP7384	SI4
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
длина	—	—	4.9 mm
время нарастания	—	—	10 ns
время спада	—	—	47 ns
коммерческое обозначение	—	—	TrenchFET
packaging	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	Power MOSFET
pd - рассеивание мощности	—	—	2.5 W
другие названия товара №	—	—	SI4431BDY-E3
количество каналов	—	—	1 Channel
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	Gull-wing
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	NRND
pcb changed	—	—	8
standard package name	—	—	SOP
supplier package	—	—	SOIC N
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	2500
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single Quad Drain Triple Source
hts	—	—	8541.29.00.95
package height	—	—	1.55(Max)
package length	—	—	5(Max)
package width	—	—	4(Max)
process technology	—	—	TrenchFET
технология	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	1
конфигурация	—	—	Single
channel type	—	—	P
id - непрерывный ток утечки	—	—	7.5 A
qg - заряд затвора	—	—	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	30 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	1 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	18 S
полярность транзистора	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	70 ns
типичное время задержки при включении	—	—	10 ns
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	5.7
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	30@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	30
maximum gate source voltage (v)	—	—	±20
typical fall time (ns)	—	—	47
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	13@5V
typical rise time (ns)	—	—	10
typical turn-off delay time (ns)	—	—	70
typical turn-on delay time (ns)	—	—	10
military	—	—	No