Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A	AS7805ADTR-G1	AP7384-70V-A	SI3585CDV-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 20 В, 3.9 А, 0.048 Ом, TSOP, Surface Mou
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	110 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вес, г	1	—	—	0.33
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	2500	—	3000
input voltage, max:	25 V	25 V	—	—
input voltage, min:	7.5 V	7.5 V	—	—
load regulation:	20 mV	20 mV	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay
maximum operating temperature:	+125 C	+125 C	—	+150 C
minimum operating temperature:	-40 C	-40 C	—	-55 C
mounting style:	SMD/SMT	SMD/SMT	—	SMD/SMT
number of outputs:	1 Output	1 Output	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	MOSFET
product type:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	MOSFET
series:	AS7805	AS7805	—	SI3
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	PMIC-Power Management ICs	—	MOSFETs
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты	—	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	Yes	—	—
output current:	1 A	1 A	—	—
output voltage:	5 V	5 V	—	—
output type:	Fixed	Fixed	—	—
quiescent current:	6 mA	6 mA	—	—
polarity:	Positive	Positive	—	—
line regulation:	25 mV	25 mV	—	—
package / case:	TO-252-2	TO-252-2	—	—
вид монтажа	—	—	Through Hole	—
категория продукта	—	—	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	—	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	—	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	—	—	40 C	—
подкатегория	—	—	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	—	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	—	2000	—
тип продукта	—	—	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	—	—	Diodes Incorporated	—
упаковка	—	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	—	TO-92-3	—
выходной ток	—	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	—	0.5 %	—
тип выхода	—	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	—	7 V	—
полярность	—	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	—	60 dB	—
package / case	—	—	—	TSOP-6
minimum operating temperature	—	—	—	-55 C
factory pack quantity	—	—	—	3000
manufacturer	—	—	—	Vishay
maximum operating temperature	—	—	—	+150 C
mounting style	—	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	SI3
subcategory	—	—	—	MOSFETs
configuration	—	—	—	Dual
fall time	—	—	—	9 ns, 28 ns
rise time	—	—	—	16 ns, 37 ns
part # aliases:	—	—	—	SI3585CDV-GE3
number of channels	—	—	—	2 Channel
package/case:	—	—	—	TSOP-6
tradename:	—	—	—	TrenchFET
tradename	—	—	—	TrenchFET
pd - power dissipation:	—	—	—	1.3 W, 1.4 W
part # aliases	—	—	—	SI3585CDV-GE3
technology	—	—	—	Si
number of channels:	—	—	—	2 Channel
pd - power dissipation	—	—	—	1.3 W, 1.4 W
technology:	—	—	—	Si
configuration:	—	—	—	Dual
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	58 mOhms, 195 mOhms
transistor polarity	—	—	—	N-Channel, P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	20 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	4.5 V
id - continuous drain current	—	—	—	2.1 A, 3.9 A
typical turn-on delay time	—	—	—	15 ns, 16 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	13 ns, 25 ns
forward transconductance - min	—	—	—	1 S, 12 S
qg - gate charge	—	—	—	3.2 nC, 6 nC
transistor type	—	—	—	1 N-Channel, 1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	600 mV
channel mode:	—	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	—	2.1 A, 3.9 A
qg - gate charge:	—	—	—	3.2 nC, 6 nC
rds on - drain-source resistance:	—	—	—	58 mOhms, 195 mOhms
transistor polarity:	—	—	—	N-Channel, P-Channel
transistor type:	—	—	—	1 N-Channel, 1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	—	20 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	—	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	—	600 mV
typical turn-off delay time:	—	—	—	13 ns, 25 ns
typical turn-on delay time:	—	—	—	15 ns, 16 ns
forward transconductance - min:	—	—	—	1 S, 12 S