Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A SI3493DDV-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Цена 0 0 0 120
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
вес, г 0.02
линейка продукции TrenchFET
количество выводов 6вывод(-ов)
factory pack quantity: factory pack quantity: 3000
manufacturer: Vishay
maximum operating temperature: +150 C
minimum operating temperature: -55 C
mounting style: SMD/SMT
product category: MOSFET
product type: MOSFET
subcategory: MOSFETs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
package/case: TSOP-6
channel type P Channel
pd - power dissipation: 3.6 W
number of channels: 1 Channel
technology: Si
рассеиваемая мощность 3.6Вт
power dissipation 3.6Вт
configuration: Single
напряжение истока-стока vds 20В
полярность транзистора P Канал
стиль корпуса транзистора TSOP
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.02Ом
напряжение измерения rds(on) 4.5В
пороговое напряжение vgs
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 8 A
qg - gate charge: 52.2 nC
rds on - drain-source resistance: 20 mOhms
transistor polarity: P-Channel
transistor type: 1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 20 V
vgs - gate-source voltage: -8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 1 V
монтаж транзистора Surface Mount
typical turn-off delay time: 115 ns
typical turn-on delay time: 8 ns
forward transconductance - min: 30 S
drain source on state resistance 0.02Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль