Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	SI3493DDV-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Цена	0 ₽	0 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	150 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	—	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	0.02
линейка продукции	—	—	TrenchFET
количество выводов	—	—	6вывод(-ов)
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	3000
manufacturer:	—	—	Vishay
maximum operating temperature:	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	SMD/SMT
product category:	—	—	MOSFET
product type:	—	—	MOSFET
subcategory:	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	MSL 1-Безлимитный
package/case:	—	—	TSOP-6
channel type	—	—	P Channel
pd - power dissipation:	—	—	3.6 W
number of channels:	—	—	1 Channel
technology:	—	—	Si
рассеиваемая мощность	—	—	3.6Вт
power dissipation	—	—	3.6Вт
configuration:	—	—	Single
напряжение истока-стока vds	—	—	20В
полярность транзистора	—	—	P Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	TSOP
непрерывный ток стока	—	—	8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.02Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	4.5В
пороговое напряжение vgs	—	—	1В
channel mode:	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	8 A
qg - gate charge:	—	—	52.2 nC
rds on - drain-source resistance:	—	—	20 mOhms
transistor polarity:	—	—	P-Channel
transistor type:	—	—	1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	20 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	1 V
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
typical turn-off delay time:	—	—	115 ns
typical turn-on delay time:	—	—	8 ns
forward transconductance - min:	—	—	30 S
drain source on state resistance	—	—	0.02Ом