Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	SI3493DDV-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Цена	0 ₽	0 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	TrenchFET
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	6вывод(-ов)
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	MSL 1-Безлимитный
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вес, г	—	—	0.02
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	3000
manufacturer:	—	—	Vishay
maximum operating temperature:	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	SMD/SMT
product category:	—	—	MOSFET
product type:	—	—	MOSFET
subcategory:	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
package/case:	—	—	TSOP-6
channel type	—	—	P Channel
pd - power dissipation:	—	—	3.6 W
number of channels:	—	—	1 Channel
technology:	—	—	Si
рассеиваемая мощность	—	—	3.6Вт
power dissipation	—	—	3.6Вт
configuration:	—	—	Single
напряжение истока-стока vds	—	—	20В
полярность транзистора	—	—	P Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	TSOP
непрерывный ток стока	—	—	8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.02Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	4.5В
пороговое напряжение vgs	—	—	1В
channel mode:	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	8 A
qg - gate charge:	—	—	52.2 nC
rds on - drain-source resistance:	—	—	20 mOhms
transistor polarity:	—	—	P-Channel
transistor type:	—	—	1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	20 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	1 V
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
typical turn-off delay time:	—	—	115 ns
typical turn-on delay time:	—	—	8 ns
forward transconductance - min:	—	—	30 S
drain source on state resistance	—	—	0.02Ом