Сравнение

SI3460BDV-T1-E3
Цена 0 280
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.02
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок TSOP-6
серия SI3
длина 3.05 mm
время нарастания 60 ns
время спада 6 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 3.5 W
другие названия товара № SI3460BDV-E3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 27 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 22 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 25 ns
типичное время задержки при включении 7 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль