Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SI3460BDV-T1-E3
Цена	280 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.02
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	TSOP-6
серия	SI3
длина	3.05 mm
время нарастания	60 ns
время спада	6 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	3.5 W
другие названия товара №	SI3460BDV-E3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	8 A
qg - заряд затвора	16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	22 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	25 ns
типичное время задержки при включении	7 ns