Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805AT-E1	AS7805ADTR-G1	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	SI2343CDS-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	57 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—	—
number of outputs	1	—	1	1	—	—
minimum operating temperature	-40В°C	—	-40 C	-40 °C	—	-55 C
maximum operating temperature	125В°C	—	+125 C	+125 °C	—	+150 C
output type	Fixed	—	Fixed	Fixed	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000	2500	—	—	—	—
input voltage, max:	25 V	25 V	—	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	7.5 V	—	—	—	—
load regulation:	20 mV	20 mV	—	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	+125 C	—	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	-40 C	—	—	—	—
mounting style:	Through Hole	SMD/SMT	—	—	—	—
number of outputs:	1 Output	1 Output	—	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
series:	AS7805	AS7805	—	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	PMIC-Power Management ICs	—	—	—	—
packaging:	Tube	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—	—	—
output voltage	5V	—	3.3 V	5 V	—	—
output current	1A	—	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—	—
output current:	1 A	1 A	—	—	—	—
output voltage:	5 V	5 V	—	—	—	—
output type:	Fixed	Fixed	—	—	—	—
output configuration	Positive	—	—	—	—	—
input voltage max	25V	—	—	—	—	—
quiescent current	6mA	—	2.5uA	2.5µA	—	—
quiescent current:	6 mA	6 mA	—	—	—	—
polarity:	Positive	Positive	—	—	—	—
voltage dropout (max)	2V @ 1A(typ)	—	—	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ	70dB(120Hz)	—	—	—	—	—
line regulation:	25 mV	25 mV	—	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ:	70 dB	—	—	—	—	—
package / case:	TO-220-3	TO-252-2	—	—	—	—
moisture sensitive:	—	Yes	—	—	—	—
line regulation	—	—	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	—	—	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	—	—	Surface Mount	Through Hole	—	Surface Mount
максимальная рабочая температура	—	—	125 C	—	—	150 C
минимальная рабочая температура	—	—	-40 C	—	—	—
выходной ток	—	—	50мА	—	—	—
линейка продукции	—	—	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	—	—	SOT-89	TO-92	—	SOT-23
width	—	—	2.6mm	3.8mm	—	1.4mm
pin count	—	—	3+Tab	3	—	3
количество выводов	—	—	3вывод(-ов)	—	—	3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение	—	—	40В	—	—	—
тип выхода	—	—	фиксированный	—	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	MSL 3-168 часов	—	—	—
minimum input voltage	—	—	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	—	—	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	—	—	40 V	40 V	—	—
maximum output current	—	—	50mA	50mA	—	—
падение напряжения vdo	—	—	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	—	—	SOT-89	—	—	—
regulator type	—	—	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—	—	—
package / case	—	—	—	—	—	SOT-23-3
factory pack quantity	—	—	—	—	—	3000
manufacturer	—	—	—	—	—	Vishay
mounting style	—	—	—	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	—	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	—	—	SI2
subcategory	—	—	—	—	—	MOSFETs
configuration	—	—	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	—	—	8 ns
rise time	—	—	—	—	—	10 ns
number of channels	—	—	—	—	—	1 Channel
tradename	—	—	—	—	—	TrenchFET
number of elements per chip	—	—	—	—	—	1
channel type	—	—	—	—	—	P
part # aliases	—	—	—	—	—	SI2343CDS-GE3
technology	—	—	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	—	—	2.5 W
рассеиваемая мощность	—	—	—	—	—	2.5Вт
power dissipation	—	—	—	—	—	2.5Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	—	—	—	30В
transistor configuration	—	—	—	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	—	—	—	30 V
maximum gate source voltage	—	—	—	—	—	-20 V, +20 V
полярность транзистора	—	—	—	—	—	P Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	—	—	—	SOT-23
непрерывный ток стока	—	—	—	—	—	5.9А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	—	—	—	0.037Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	—	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	—	—	—	1.2В
maximum continuous drain current	—	—	—	—	—	4.7 A
transistor material	—	—	—	—	—	Si
maximum drain source resistance	—	—	—	—	—	75 mΩ
channel mode	—	—	—	—	—	Enhancement
minimum gate threshold voltage	—	—	—	—	—	1.2V
rds on - drain-source resistance	—	—	—	—	—	45 mOhms
transistor polarity	—	—	—	—	—	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	—	—	30 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	—	—	10 V
id - continuous drain current	—	—	—	—	—	5.9 A
maximum power dissipation	—	—	—	—	—	2.5 W
typical gate charge @ vgs	—	—	—	—	—	13.6 nC 10 V
typical turn-on delay time	—	—	—	—	—	8 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	—	—	18 ns
forward transconductance - min	—	—	—	—	—	10 S
qg - gate charge	—	—	—	—	—	21 nC
transistor type	—	—	—	—	—	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	—	—	1.2 V
монтаж транзистора	—	—	—	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	—	—	—	0.037Ом