Сравнение

SI9926CDY-T1-GE3
Цена 0 320
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
максимальная рабочая температура 150 C
количество выводов 8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
рассеиваемая мощность 3.1Вт
напряжение истока-стока vds 20В
полярность транзистора N Канал
стиль корпуса транзистора NSOIC
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.015Ом
напряжение измерения rds(on) 4.5В
пороговое напряжение vgs 1.5В
rds on - drain-source resistance 18mО© @ 8.3A,4.5V
transistor polarity 2 N Channel(Double)
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 8A
power dissipation-max (ta=25в°c) 2W
монтаж транзистора Surface Mount
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль