Сравнение

SIZF300DT-T1-GE3
Цена 0 350
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAIR3x3-4
серия SIZ
время нарастания 40 ns, 53 ns
время спада 7 ns, 12 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 74 W
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 75 A, 141 A
qg - заряд затвора 22 nC, 62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 4.5 mOhms, 1.84 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V, 1.1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 60 S, 90 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 2 N-Channel
типичное время задержки выключения 23 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении 17 ns, 25 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль