Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805AT-E1	AS7805ADTR-G1	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SI2302DDS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	52 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—	—
minimum operating temperature	-40В°C	—	—	—	-55 C
maximum operating temperature	125В°C	—	—	—	+150 C
output type	Fixed	—	—	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000	2500	—	—	—
input voltage, max:	25 V	25 V	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	7.5 V	—	—	—
load regulation:	20 mV	20 mV	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	+125 C	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	-40 C	—	—	—
mounting style:	Through Hole	SMD/SMT	—	—	—
number of outputs:	1 Output	1 Output	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	Linear Voltage Regulators	—	—	—
series:	AS7805	AS7805	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	PMIC-Power Management ICs	—	—	—
packaging:	Tube	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—	—
output voltage	5V	—	—	—	—
output current	1A	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
output current:	1 A	1 A	—	—	—
output voltage:	5 V	5 V	—	—	—
output type:	Fixed	Fixed	—	—	—
output configuration	Positive	—	—	—	—
input voltage max	25V	—	—	—	—
quiescent current	6mA	—	—	—	—
quiescent current:	6 mA	6 mA	—	—	—
polarity:	Positive	Positive	—	—	—
voltage dropout (max)	2V @ 1A(typ)	—	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ	70dB(120Hz)	—	—	—	—
line regulation:	25 mV	25 mV	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ:	70 dB	—	—	—	—
package / case:	TO-220-3	TO-252-2	—	—	—
moisture sensitive:	—	Yes	—	—	—
вид монтажа	—	—	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	—	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	40 C	—	55 C
подкатегория	—	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	—	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	—	2000	—	3000
тип продукта	—	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	—	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка	—	—	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	—	—	TO-92-3	—	SOT-23-3
выходной ток	—	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	—	7 V	—	—
полярность	—	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	—	60 dB	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	—	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	—	—	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	—	8541.21.0095
серия	—	—	—	—	SI2
supplier device package	—	—	—	—	SOT-23-3 (TO-236)
время нарастания	—	—	—	—	7 ns
время спада	—	—	—	—	7 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	—	TrenchFET
factory pack quantity	—	—	—	—	3000
manufacturer	—	—	—	—	Vishay
mounting style	—	—	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	—	TrenchFETВ® ->
subcategory	—	—	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	—	—	860 mW
количество каналов	—	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	—	SI2302 ->
configuration	—	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	—	7 ns
rise time	—	—	—	—	7 ns
number of channels	—	—	—	—	1 Channel
tradename	—	—	—	—	TrenchFET
технология	—	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	—	Single
technology	—	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
pd - power dissipation	—	—	—	—	860 mW
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	—	2.9 A
qg - заряд затвора	—	—	—	—	5.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	—	57 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	—	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	—	400 mV
канальный режим	—	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	—	13 S
полярность транзистора	—	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	—	30 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	—	8 ns
channel mode	—	—	—	—	Enhancement
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	—	2.9A (Tj)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	—	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	—	2.5V, 4.5V
fet type	—	—	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	—	5.5nC @ 4.5V
power dissipation (max)	—	—	—	—	710mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	—	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs (max)	—	—	—	—	В±8V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	—	850mV @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance	—	—	—	—	57mО© @ 3.6A,4.5V
transistor polarity	—	—	—	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	—	20V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	—	850mV @ 250uA
id - continuous drain current	—	—	—	—	2.9 A
typical turn-on delay time	—	—	—	—	8 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	—	30 ns
forward transconductance - min	—	—	—	—	13 S
qg - gate charge	—	—	—	—	5.5 nC
transistor type	—	—	—	—	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	—	400 mV
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	—	—	—	2.9A(Tj)
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	—	—	—	710mW