Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A SI2302DDS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Цена 0 0 0 0 52
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C -55 C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C +150 C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
серия AP7384 SI2
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
supplier device package SOT-23-3 (TO-236)
время нарастания 7 ns
время спада 7 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
factory pack quantity 3000
manufacturer Vishay
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series TrenchFETВ® ->
subcategory MOSFETs
pd - рассеивание мощности 860 mW
количество каналов 1 Channel
base product number SI2302 ->
configuration Single
fall time 7 ns
rise time 7 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
pd - power dissipation 860 mW
id - непрерывный ток утечки 2.9 A
qg - заряд затвора 5.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 57 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 13 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 30 ns
типичное время задержки при включении 8 ns
channel mode Enhancement
current - continuous drain (id) @ 25в°c 2.9A (Tj)
drain to source voltage (vdss) 20V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.5V, 4.5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 5.5nC @ 4.5V
power dissipation (max) 710mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs (max) В±8V
vgs(th) (max) @ id 850mV @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance 57mО© @ 3.6A,4.5V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 850mV @ 250uA
id - continuous drain current 2.9 A
typical turn-on delay time 8 ns
typical turn-off delay time 30 ns
forward transconductance - min 13 S
qg - gate charge 5.5 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 400 mV
continuous drain current (id) @ 25в°c 2.9A(Tj)
power dissipation-max (ta=25в°c) 710mW
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль