Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SI1443EDH-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 4 А, 0.043 Ом, SOT-363, Surface Mount
Цена	0 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	SOT-363-6
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	0.14
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
rohs status	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	SI1
supplier device package	—	SOT-363
длина	—	2.1 mm
время нарастания	—	220 ns
время спада	—	435 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
series	—	TrenchFETВ® ->
pd - рассеивание мощности	—	2.8 W
другие названия товара №	—	SI1443EDH-GE3
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	SI1443 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	4 A
qg - заряд затвора	—	28 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	43 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.5 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	14 S
полярность транзистора	—	P-Channel
тип транзистора	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	1115 ns
типичное время задержки при включении	—	125 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	28nC @ 10V
power dissipation (max)	—	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	54mOhm @ 4.3A, 10V
vgs (max)	—	В±12V
vgs(th) (max) @ id	—	1.5V @ 250ВµA